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滿足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。CVD系統(tǒng)性能特點：結(jié)

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太陽能擴散爐主要滿足光伏電池生產(chǎn)線對125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、單晶硅硅片進行擴散工藝。目前有第二代閉管擴散爐和第三代軟著陸擴散爐。 技術(shù)指標：

網(wǎng)帶式快速燒結(jié)爐，是針對太陽能電池生產(chǎn)線專門開發(fā)的一種集燒結(jié)、烘干于一體的燒結(jié)爐。利用紅外技術(shù)和高品質(zhì)爐膛材料，提高設(shè)備的熱效率；采用先進的溫度控制技術(shù)，保證溫度控制的度。技術(shù)指標

氫氣還原爐主要用于電力電子器件、熱敏電阻、可控硅模塊、陶瓷金屬化等在氫氣氣氛保護下進行還原、退火、合金等工藝，也可以進行氧化工藝。技術(shù)指標：工作溫度：200—1300℃ 

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可完全代替進口爐體，優(yōu)質(zhì)加熱爐絲，進口保溫材料，采用國外先進加工工藝，爐體可長期使用在高溫下，處理12英寸以下硅片，工作溫度200—1300℃。技術(shù)指標：加熱爐絲：瑞典康泰爾高溫爐

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擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微控

擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工的硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微

氧化擴散爐性能特點：◆具有可編程的升、降溫功能◆采用濾波器、屏蔽板等裝置，有效解決電網(wǎng)、磁場的干擾◆windowsxp全中文視窗操作系統(tǒng)，可儲存1000條曲線，每條曲線設(shè)置30步◆

鏈式爐主要用于集成電路、電力電子器件，如橋式整流器、二極管、三極管等在氫氣、氮氣、或氫氮混合氣體的保護下進行焊接、封裝、烘干、還原、退火等。主要技術(shù)指標：◆工作溫度：200℃—11

真空爐用于真空條件下集成電路、電力電子器件生產(chǎn)線對所生產(chǎn)產(chǎn)品進行燒結(jié)、合金、退火、焊接等工藝處理。具有控溫精度高，降溫速度快等特點。真空爐技術(shù)指標：石英管真空室：1—3室真空度：1

真空燒結(jié)爐主要用于電子器件、可控硅模塊、熱敏電阻、磁性材料、陶瓷金屬化行業(yè)在真空環(huán)境下進行燒結(jié)、封裝、退火、焊接等工藝。真空爐技術(shù)指標： 真空室工位數(shù)：1-3位 

井式/立式真空爐主要用于半導(dǎo)體器件燒結(jié)、封焊，太陽能電池片烘干、焊接及金屬化管殼等氣密性封裝，玻璃容器的燒結(jié)及各種零件在氫氮保護下進行的工藝。井式真空爐主要技術(shù)參數(shù) 真空

LED專用爐主要滿足LED芯片制造行業(yè)，對圓片及殘片進行合金、退火、擴散、氧化等工藝。主要性能指標：外型形式：臥式1—4管結(jié)構(gòu)，水平爐管工作溫度：200℃—1100℃恒溫區(qū)長度：≥

滿足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。CVD系統(tǒng)性能特點：結(jié)

滿足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。CVD系統(tǒng)性能特點：結(jié)

太陽能擴散爐主要滿足光伏電池生產(chǎn)線對125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、單晶硅硅片進行擴散工藝。目前有第二代閉管擴散爐和第三代軟著陸擴散爐。 技術(shù)指標：

網(wǎng)帶式快速燒結(jié)爐，是針對太陽能電池生產(chǎn)線專門開發(fā)的一種集燒結(jié)、烘干于一體的燒結(jié)爐。利用紅外技術(shù)和高品質(zhì)爐膛材料，提高設(shè)備的熱效率；采用先進的溫度控制技術(shù)，保證溫度控制的度。技術(shù)指標