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迷宮機器人，英文名“Micromouse”是由嵌入式微控制器、光電傳感器、運動單元與電力電子器件構(gòu)成的一種微型智能運動裝置，可以在結(jié)構(gòu)復(fù)雜的“迷宮”中自動搜索、記憶和選擇路徑，并采

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產(chǎn)品型號3.9像素間距（mm）3.91像素構(gòu)成SMD1921亮度水平（CD/㎡）2500像素密度（dot/㎡）65536箱體尺寸（mm）250MM*250MM箱體分辨率（dot）6

產(chǎn)品型號2.9像素間距（mm）2.976像素構(gòu)成SMD1415亮度水平（CD/㎡）2500像素密度（dot/㎡）112896箱體尺寸（mm）250MM*250MM箱體分辨率（dot

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產(chǎn)品型號P8像素間距（mm）8像素構(gòu)成SMD3528亮度水平（CD/㎡）800~1200像素密度（dot/㎡）15625箱體尺寸（mm）256*128箱體分辨率（dot）32*16

產(chǎn)品型號P6像素間距（mm）6像素構(gòu)成SMD3528亮度水平（CD/㎡）800~1200像素密度（dot/㎡）27777箱體尺寸（mm）192*192箱體分辨率（dot）32*32

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產(chǎn)品型號P3像素間距（mm）3像素構(gòu)成SMD1515亮度水平（CD/㎡）800~1200像素密度（dot/㎡）111111箱體尺寸（mm）250*100箱體分辨率（dot）80*4

產(chǎn)品型號P2.5像素間距（mm）2.5像素構(gòu)成SMD1010亮度水平（CD/㎡）800~1200像素密度（dot/㎡）160000箱體尺寸（mm）240*120箱體分辨率（dot）

產(chǎn)品型號P2像素間距（mm）2像素構(gòu)成SMD1010亮度水平（CD/㎡）≥700像素密度（dot/㎡）250000箱體尺寸（mm）256*128箱體分辨率（dot）128*64可視

產(chǎn)品型號P1.875像素間距（mm）1.875像素構(gòu)成SMD1515亮度水平（CD/㎡）≥700像素密度（dot/㎡）284444箱體尺寸（mm）240*120箱體分辨率（dot）

產(chǎn)品型號P1.5625像素間距（mm）1.5625像素構(gòu)成SMD1010亮度水平（CD/㎡）≥700像素密度（dot/㎡）409600箱體尺寸（mm）250*100箱體分辨率（do

產(chǎn)品型號P4像素間距（mm）4像素構(gòu)成SMD2835亮度水平（CD/㎡）1000像素密度（dot/㎡）62500平均功耗（W/㎡）≤550功耗（W/㎡）≤1200掃描方式1月16日

產(chǎn)品型號P3像素間距（mm）3像素構(gòu)成SMD2121亮度水平（CD/㎡）1000像素密度（dot/㎡）111111平均功耗（W/㎡）≤550功耗（W/㎡）≤1000掃描方式1月30

產(chǎn)品型號P2.5像素間距（mm）2.5像素構(gòu)成SMD2121亮度水平（CD/㎡）800像素密度（dot/㎡）160000平均功耗（W/㎡）≤550功耗（W/㎡）≤1100掃描方式1

產(chǎn)品型號P2像素間距（mm）2像素構(gòu)成SMD1515亮度水平（CD/㎡）800像素密度（dot/㎡）250000平均功耗（W/㎡）≤650功耗（W/㎡）≤1100掃描方式1/32模

產(chǎn)品型號P1.8像素間距（mm）1.8像素構(gòu)成SMD1515亮度水平（CD/㎡）800像素密度（dot/㎡）284444平均功耗（W/㎡）≤750功耗（W/㎡）≤1300掃描方式1

 我國是傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)大國，各類農(nóng)作物種植經(jīng)驗豐富，應(yīng)對寒潮、干旱時可以采取措施來保證農(nóng)作物的生長。隨著物聯(lián)網(wǎng)和云計算技術(shù)的發(fā)展，為農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的氣象墑情遠程監(jiān)測提供信息化手段，助

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銀觸點主要應(yīng)用于接觸器、開關(guān)、接插件、繼電器、導(dǎo)電線路中的交點支點等。觸點指的是電子電器的斷開和閉合時，進行相互分離和接觸的交點。銀觸點具有耐熱，耐電弧侵蝕及抗熔性，使用壽命長，導(dǎo)

銀觸點的概念由于金屬導(dǎo)體端子在接觸的瞬間容易產(chǎn)生瞬間的發(fā)熱,促使其接觸點在使用的多頻率過程中,容易產(chǎn)生氧化和電解,故而將其接觸點加大加厚,或是采用高分子金屬制造(以銅和銀兩種材料為

代替小型接觸器繼電器的銀觸點具有一定的帶負荷能力，當負載容量比較小時，可以用來替代小型接觸器使用，比如電動卷閘門和一些小家電的控制。銀觸點這樣的優(yōu)點是可以起到控制的目的，而且可以節(jié)

一般有打火情況的電路觸點會用鍍銀，里面是銅，外面鍍很薄一層銀，原因是銀經(jīng)過觸點打火，會像其它金屬一樣生成氧化層，而氧化銀卻比純銀導(dǎo)電性能更佳，所以一般觸點不能避免打火的情況下，采用

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GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSF

IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電

絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開關(guān)能力和高電壓容量，在各種應(yīng)用中得到越來越多的運用。陶氏粘合劑有機硅解決方案可密封并保護先進的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等

IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是電動汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10％，占充電樁成本約20％。IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以

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IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，具有高可靠性、出色性能、率和使用壽命長的優(yōu)勢

按照封裝工藝來看，IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓

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IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸

IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一，在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器

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IGBT電路是負責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據(jù)使用IGBT模塊型號，有些需使

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作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等

IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，具有高可靠性、出色性能、率和使用壽命長的優(yōu)勢

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用

按照封裝工藝來看，IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓