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　　銀微粒的大小與銀漿的導(dǎo)電性能有關(guān)。在相同的體積下，微粒大，微粒間的接觸幾率偏低，并留有較大的空間，被非導(dǎo)體的樹脂所占據(jù)，從而對導(dǎo)體微粒形成阻隔，導(dǎo)電性能下降。反之，細(xì)小微粒的接

熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率

　　多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工

　　長期收購IC，二三級極管，內(nèi)存，單片機(jī)，模塊,顯卡，網(wǎng)卡，芯片，家電IC、電腦IC、通訊IC、數(shù)碼IC、安防IC、軍工IC，IC：K9F系列、南北橋、手機(jī)IC、電腦周邊IC、電

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。利用價(jià)值：從

　　硅是地殼上豐富的元素半導(dǎo)體,性質(zhì)優(yōu)越而工藝技術(shù)比較成熟,已成為固態(tài)電子器件的主要原料。為適應(yīng)超大規(guī)模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布)的硅單晶制備技術(shù)正在發(fā)展。

　　硅整流器與硅閘流管的問世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導(dǎo)體材料的首位。60年代硅外延生長單晶技術(shù)和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術(shù)趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年

　　背面串接　　背面焊接是將電池串接在一起形成一個(gè)組件串，我們目前采用的工藝是手動(dòng)的，電池的定位主要靠一個(gè)膜具板，上面有放置電池片的凹槽，槽的大小和電池的大小相對應(yīng)，槽的位置已經(jīng)設(shè)