案例名稱：國產(chǎn)EPO-TEK H20E芯片封裝電路組裝用導電銀膠

應用領域:芯片封裝、電子及PCB電路組裝、光電封裝等要求導電導熱場景，可替代進口EPO-TEK H20E

要求：

銀膠無溶劑，固含，具有低收縮性并具有耐高溫性，短時間可耐300℃高溫。除此之外，還具有高導熱、高可靠性等特點

應用點圖片：

解決方案：國產(chǎn)2010S單組份導電銀膠

2010S是一款以高純銀粉為導電介質(zhì)的單組份環(huán)氧樹脂銀膠，該導電銀膠無溶劑，固含，因此具有低收縮性并具有耐高溫性，短時間可耐300℃高溫。除此之外，還具有高導熱、高可靠性等特點，可應用于芯片封裝、電子及PCB電路組裝、光電封裝等。

特點

·單組分

·高耐溫性能，可長期服務于200℃

·固含，無溶劑

·適用期達到65h

·優(yōu)異的粘接性能

·低吸濕性，高可靠性

·導電性能

屬性測量值

測試方法

外觀

銀灰色漿液

/

導電填料

銀

/

粘度(25℃,mPa·s)

17000

Brookfield,DV2T,5rpm

比重

3.2

比重瓶

觸變指數(shù)

5.0

0.5rpm/5rpm

體積電阻率(Ω·cm)

0.0002

四探針法

剪切推力，Kg,25℃

14.0

DAGE,(2×2mm,Ag/AuLF)

剪切推力，Kg,260℃

2.0

DAGE,(2×2mm,Ag/AuLF)

玻璃轉(zhuǎn)變溫度(℃)

101

DMA

線性膨脹系數(shù)，ppm/℃

α1:36α2:175

TMA

儲能模量，MPa,25℃

5200

DMA

導熱系數(shù)，W/m-k

3.2

Laser Flash

吸水率，%

0.4

85℃,85%RH

熱分解溫度

420℃(TGA 測試，N?氣氛)

熱失重

@200℃:0.5wt%

@250℃:0.9 wt%

@300℃:1.8wt%

離子含量