ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見(jiàn)的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來(lái)，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時(shí)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。

制造ITO靶材是一項(xiàng)技術(shù)密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個(gè)環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復(fù)雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。

冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過(guò)高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結(jié)固化。

優(yōu)點(diǎn)：工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。

適用場(chǎng)景：中低端電子產(chǎn)品或?qū)嶒?yàn)室研發(fā)用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權(quán)衡成本與性能。

在智能手機(jī)、平板電腦、超清電視的光滑屏幕背后，ITO靶材（氧化銦錫）是賦予其透明導(dǎo)電魔力的核心材料。作為ITO靶材的關(guān)鍵成分，銦（In）的穩(wěn)定供應(yīng)直接關(guān)系到全球萬(wàn)億級(jí)顯示產(chǎn)業(yè)的命脈。然而，這種稀散金屬的地緣分布不均（中國(guó)儲(chǔ)量占全球70%以上）和原生礦產(chǎn)的有限性，使得銦的回收再利用不再是環(huán)保課題，更成為保障產(chǎn)業(yè)、實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈韌性的“閉環(huán)”革命。