超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質量和性能，滿足高端應用領域的需求。

物理化學性能

物理性質：

密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學性質：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產 LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜（如手機屏幕、電視面板）。

光伏領域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關鍵原料，提升光電轉換效率。

半導體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。