超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能，滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中能實(shí)現(xiàn)透明性和導(dǎo)電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

純度分級(jí)：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點(diǎn)低至 120℃，用于保險(xiǎn)絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測(cè)器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點(diǎn)顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純?cè)嫌糜诒∧こ练e或材料合成。