熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

精銦的制備需經(jīng)過多步精煉，核心工藝包括：

原料預處理：以鋅冶煉副產(chǎn)物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質(zhì)的沸點差異（銦沸點 2080℃，雜質(zhì)如鋅沸點 907℃）去除低沸點雜質(zhì)。

區(qū)域熔煉：通過移動加熱區(qū)使雜質(zhì)在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進一步去除微量金屬離子。

物理化學性能

物理性質(zhì)：

密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學性質(zhì)：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。

半導體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。