微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環(huán)。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜（如手機屏幕、電視面板）。

光伏領域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關鍵原料，提升光電轉換效率。