半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。
晶粒定向控制：晶粒定向控制技術能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質量和性能，滿足高端應用領域的需求。
良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。
粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環(huán)。
