超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能，滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

優(yōu)異的光學(xué)性能：在可見光波段（380-780nm）內(nèi)，ITO 薄膜的透光率通常能夠達(dá)到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應(yīng)用中的良好表現(xiàn)。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點低至 120℃，用于保險絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。