微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

純度分級(jí)：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。

精銦的制備需經(jīng)過多步精煉，核心工藝包括：

原料預(yù)處理：以鋅冶煉副產(chǎn)物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質(zhì)的沸點(diǎn)差異（銦沸點(diǎn) 2080℃，雜質(zhì)如鋅沸點(diǎn) 907℃）去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。

區(qū)域熔煉：通過移動(dòng)加熱區(qū)使雜質(zhì)在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學(xué)提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進(jìn)一步去除微量金屬離子。

半導(dǎo)體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點(diǎn)和延展性，作為半導(dǎo)體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應(yīng)精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導(dǎo)體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測(cè)器（如紅外成像器件）。