半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

光伏產(chǎn)業(yè)：占比 15%，應(yīng)用于薄膜太陽能電池的透明電極，如銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池、光伏異質(zhì)結(jié)電池（HJT）等，隨著這些電池技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速，對銦靶的需求也在不斷增加。

優(yōu)異的光學(xué)性能：在可見光波段（380-780nm）內(nèi)，ITO 薄膜的透光率通常能夠達(dá)到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應(yīng)用中的良好表現(xiàn)。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對低溫下進(jìn)行，目的是通過部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。