物理特性：銦靶材呈銀色光澤的灰色，熔點(diǎn)為 156.61℃，沸點(diǎn) 2060℃，密度 7.3 g/cm3。質(zhì)地非常軟，能用指甲刻痕，可塑性強(qiáng)，有良好的延展性，可壓成片。

化學(xué)特性：銦具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性，但在一些特定的環(huán)境下，如高溫、強(qiáng)酸堿等條件下，可能會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。銦化合物在真空下蒸發(fā)，能夠在電子產(chǎn)品和光伏電池生產(chǎn)中形成薄膜。

先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

固態(tài)電池與儲(chǔ)能技術(shù)

前沿應(yīng)用：銦作為固態(tài)電解質(zhì)的界面改性材料，改善電極與電解質(zhì)的接觸阻抗，提升固態(tài)電池的循環(huán)壽命和性。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過(guò)高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過(guò)熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過(guò)熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過(guò)程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。