凈化工程是指控制產品 (如硅芯片等) 所接觸大氣的潔凈度及溫濕度，使產品能在一個良好的環(huán)境空間中生產、制造。此環(huán)境空間的設計施工過程即可稱為凈化工程。

這比用紊流來描述亂流潔凈室更確切、更。紊流主要決定于雷諾數，也就是主要受流速的影響，但是如果采用一個過濾器頂送的送風形式，則即使流速極低，也要產生上述各種結果，這就因為它是一個突變流和非均勻流。因此這種情況下不僅有流層之間因紊流流動而發(fā)生的摻混，而且還有全室范圍內的大的回流、旋渦所發(fā)生的摻混。

人員的活動也可以使單向流變成紊流。在這些紊流中，由于風速較低，空氣稀釋程度較小，從而使得污染濃度較高。因此，必須將風速保持在0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分鐘至100英尺/分鐘）的范圍里，以便使中斷的單向流能快速恢復，充分稀釋障礙物周圍紊流區(qū)的污染。用風速可以正確地表示出單向流，因為風速越高室內就越潔凈。而每小時換氣次數與房間的體積有關，如吊頂的高低，因此不適合用來表示單向流。單向流室內的送風量是紊流室的很多倍（10到100倍）。

相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產濕度范圍為35—45%。