起動時一升速就跳閘,這是過電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象,主要檢查
① 工作機(jī)械有沒有卡住
② 負(fù)載側(cè)有沒有短路,用兆歐表檢查對地有沒有短路
③ 變頻器功率模塊有沒有損壞
④ 電動機(jī)的起動轉(zhuǎn)矩過小,拖動系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來
起動時不馬上跳閘,而在運行過程中跳閘,主要檢查
① 升速時間設(shè)定太短,加長加速時間
② 減速時間設(shè)定太短,加長減速時間
③ 轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償(U/F比)設(shè)定太大,引起低頻時空載電流過大
④ 電子熱繼電器整定不當(dāng),動作電流設(shè)定得太小,引起變頻器誤動作
欠電壓保護(hù)
產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太低
② 電源缺相;
③ 整流橋故障:如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路,整流后的電壓將下降,對于整流器件和晶閘管的損壞,應(yīng)注意檢查,及時更換。
功率場效應(yīng)晶體管(POWER MOSFET) 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點是,G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小,主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大,故控制電流幾乎為0,所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比,其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單,工作頻率也比較高。此外,MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大 等優(yōu)點。
但是,功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢,故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)(MOS結(jié)構(gòu))的晶體管,它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。
工作特點是,控制部分與場效應(yīng)晶體管相同,控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高,柵極電流I≈0,故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同,工作電流為集電極電流I。
至今,IGBT的擊穿電壓也已做到1200V,集電極飽和電流已超過1500A,由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上。
此外,其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上,故電動機(jī)的電源波形比較平滑,基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時,流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的,不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響
通常,變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量(KW)×55 [W]
在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的 (過流能力150% * 60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時發(fā)熱量會更大一些。 電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測上方比較好。
這時可以用估算: 變頻器容量(KW)×60 [W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產(chǎn)品.
注意: 如果有制動電阻的話,因為制動電阻的散熱量很大, 因此安裝位置和變頻器隔離開, 如裝在柜子上面或旁邊等。