IGBT 的驅(qū)動條件與它的靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數(shù)都有不同程度的影響。

IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動電路。

IGBT驅(qū)動的兩個功能， 實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。