不銹鋼晶間腐蝕試驗方法：采用硫酸和硫酸銅，加熱溫度650℃左右

試驗目的：晶間腐蝕試驗是考核沿晶界的局部腐蝕情況

晶間腐蝕：金屬晶界區(qū)域的溶解速度遠大于晶粒本體的溶解速度時，就會產生晶間腐蝕，產生原因主要是金屬晶界區(qū)的物質同晶粒本體的電化學性質有差異（外在要具有適當的介質在該介質條件下足以顯示出晶界物質同晶粒本體之間的電化學性質差異，而這種差異引起不等速溶解）。

當固溶處理后的奧氏體不銹在500~850溫度范圍內加熱時過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出，形成鉻地碳化物，分布在晶界上，析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多，含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區(qū)貧鉻，形成貧鉻區(qū)，貧鉻區(qū)的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多，從而使貧鉻區(qū)優(yōu)先溶解，產生晶間腐蝕。

通常在發(fā)生晶間腐蝕的材料表面難以觀察到明顯的變化，但材料表面層各晶粒之間的結合力已經顯著削弱。 不銹鋼中的析出的主要是Cr的碳化物，而Cr是不銹鋼具有耐腐蝕性能的主要基礎元素，Cr在晶間的貧化是導致晶間腐蝕的主要原因，可以通過合理的熱處理消除晶間貧Cr、避免不銹鋼發(fā)生晶間腐蝕

在不銹鋼之外的多種合金材料上均可能發(fā)生晶間腐蝕，但不同的材料對不同的腐蝕介質敏感。

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