硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。

氧化硅拋光液 氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。 廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。

應用領域 1、 光通訊領域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產品，能達到超精細拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標和反射衰減指標達到國際標準。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍寶石等半導體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質量表面。 4、其他領域的應用，如不銹鋼、光學玻璃等領域，拋光后能達到良好的拋光效果

封釉，指用柔軟的羊毛或海綿通過震拋機的高速震動和摩擦，利用釉特有的滲透性和黏附性把釉分子強力滲透到汽車表面、油漆的縫隙中去。

封釉后的車身漆面能夠達到甚至超過原車漆效果，使舊車更新、新車更亮，并同時具備抗高溫、密封、抗氧化、增光、耐水洗、抗腐蝕等特點，還為以后的汽車美容、烤漆、翻新奠定了基礎。封釉是打蠟的替代品，一般封釉之后半年之內可不用打蠟。

一些制樣技術對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣，使用價格便宜的金剛石產品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產品，制樣的質量、時間和成本都必須綜合起來考慮。

金剛石晶粒大小的分布與各晶粒大小之間的差距應盡可能的小，這是非常重要的。 因為如果在拋光劑中存在單個的金剛石大晶粒，那么試樣表面由它們形成的劃痕將無法在后道工序中消除。 反之，晶粒太小又不利于試樣的磨削。因此，控制粒度分布在金剛石產品的生產中是非常重要的。