拋光液作為金屬加工液檢測(cè)種類的重要一員，對(duì)金屬表面的打磨處理，滿足平坦化需求起著關(guān)鍵性的作用。拋光液適用于鉛錫合金， 銅， 鋅合金， 不銹鋼， 鋁合金， 鐵等金屬零部件的拋光， 光亮度可達(dá) 12 級(jí)， 可取代多種進(jìn)口拋光劑和拋光粉。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

化學(xué)拋光是一種將金相樣品浸入調(diào)配的化學(xué)拋光液中，借化學(xué)藥劑的溶解作用而得到的拋光表面的拋光方法?；瘜W(xué)拋光是常見(jiàn)的金相樣品拋光方法之一，這種方法操作簡(jiǎn)便，不需任何儀器設(shè)備，只需要選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)拋光液和掌握的拋光規(guī)范，就能快速得到較理想的光潔而無(wú)變形層的表面。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。