拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等優(yōu)點。

研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機在相同的時間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學(xué)作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

金屬試樣表面各組成相的電化學(xué)電位不同，形成了許多微電勢，在化學(xué)溶液中會產(chǎn)生不均勻溶解。在溶解過程中試樣面表層會產(chǎn)生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達(dá)到十分理想的要求。在低和中等放大倍數(shù)下利用顯微鏡觀察時，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內(nèi)，仍能觀察到十分清晰的組織。