研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機(jī)在相同的時(shí)間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?，在光整時(shí)會(huì)粘附在零件與磨料的表面，對(duì)金屬表面氧化膜的化學(xué)作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

金屬試樣表面各組成相的電化學(xué)電位不同，形成了許多微電勢(shì)，在化學(xué)溶液中會(huì)產(chǎn)生不均勻溶解。在溶解過程中試樣面表層會(huì)產(chǎn)生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴(kuò)展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達(dá)到十分理想的要求。在低和中等放大倍數(shù)下利用顯微鏡觀察時(shí)，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內(nèi)，仍能觀察到十分清晰的組織。