依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學過程。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應(yīng)為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達到超精細拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標和反射衰減指標達到國際標準。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍寶石等半導體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達到良好的拋光效果