氧化硅拋光液氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。

氧化鈰拋光液氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光

多晶金剛石拋光液

多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

拋光粉通常由氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鐵、氧化鋯、氧化鉻等組份組成。不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質也不同，因此使用場合各不相同。通常，氧化鈰拋光粉用于玻璃和含硅材料的拋光，氧化鋁拋光粉用于不銹鋼的拋光，氧化鐵也可用于玻璃，但速度較慢，常用于軟性材料的拋光。石材的拋光常使用氧化錫，瓷磚的拋光常使用氧化鉻。

化學機械拋光：

這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。