為了增加氧化鈰的拋光速度，通常在氧化鈰拋光粉加入氟以增加磨削率。鈰含量較低的混合稀土拋光粉通常摻有3－8的氟；純氧化鈰拋光粉通常不摻氟。

對ZF或F系列的玻璃來說，因為本身硬度較小，而且材料本身的氟含量較高，因此選用不含氟的拋光粉為好。

性能特點： 1、光澤度高，可達100度以上，超出新出廠石材的標準。 2、硬度高，不易劃傷，一般硬物（或自然行走）不會對石材造成磨損。 3、均勻、平整、光滑、天然、清澈，有鏡面感覺，顯現(xiàn)石材天然色澤。 4、表面干爽，不吸附塵埃，塵埃沙粒僅停留在表面，易徹底清理。 5、還具有防滑、防污效果。 適用范圍：特特別適用于一些比較難處理的大理石，如：潔士白、大花綠等石材。大理石面板、墻壁的清洗、增亮、防護處理。晶面處理后石材表面的日常維護處理。

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠實現(xiàn)全局平面化的有效方法。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。