性能特點： 1、光澤度高，可達100度以上，超出新出廠石材的標準。 2、硬度高，不易劃傷，一般硬物（或自然行走）不會對石材造成磨損。 3、均勻、平整、光滑、天然、清澈，有鏡面感覺，顯現石材天然色澤。 4、表面干爽，不吸附塵埃，塵埃沙粒僅停留在表面，易徹底清理。 5、還具有防滑、防污效果。 適用范圍：特特別適用于一些比較難處理的大理石，如：潔士白、大花綠等石材。大理石面板、墻壁的清洗、增亮、防護處理。晶面處理后石材表面的日常維護處理。

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。

制作步驟：

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。

拋光粉的真實硬度與材料有關，如氧化鈰的硬度就是莫氏硬度7左右，各種氧化鈰都差不多。但不同的氧化鈰體給人感覺硬度不同，是因為氧化鈰拋光粉通常為團聚體，附圖為一個拋光粉團聚體的電鏡照片。由于燒成溫度不同，團聚體的強度也不一樣，因此使用時會有硬度不一樣的感覺。當然，有的拋光粉中加入氧化鋁等較硬的材料，表現出來的磨削率和耐磨性都會提高。