在米粒大的硅片上，已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管。這是何等精細(xì)的工程!這是多學(xué)科協(xié)同努力的結(jié)晶，是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量豐富的元素之一，對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)(mass market)的產(chǎn)品而言，儲(chǔ)量的優(yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

半導(dǎo)體硅用量或產(chǎn)量以單晶硅數(shù)量(以噸計(jì))和硅片面積(平方英寸)來(lái)表述。是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能，用來(lái)制作半導(dǎo)體器件的硅材料，主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、單晶硅、多晶硅、半導(dǎo)體晶體管、單晶硅棒、單晶硅片、單晶硅切磨片、單晶硅拋光片、單晶硅外延片、單晶硅太陽(yáng)能電池板、單晶硅芯片、砷化鎵、單晶鍺、太陽(yáng)能電池圓片、方片、二級(jí)管、三級(jí)管、硅堆、復(fù)合半導(dǎo)體器件、微波射頻器件、可控硅器件、高頻管、低頻管、功率管、MOS管、集成電路等等。

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。

利用價(jià)值：從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車(chē)、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品，目前直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。