性能

擴(kuò)散型單晶硅一般由N型單品硅膜片及P型單晶硅應(yīng)變敏感層組成。壓力傳盛器用它來(lái)完成氣電轉(zhuǎn)換是在一塊圓形膜片上，利用集成電路的工藝方法設(shè)置一個(gè)阻值相等曲電阻構(gòu)成平衡電橋。膜片的四周用一圓環(huán)（硅杯)固定。膜片兩邊有兩個(gè)壓力腔， 一個(gè)是和電纜相連接的高壓腔： 另一個(gè)是和大氣相通的低壓腔(其結(jié)構(gòu)見(jiàn)附圖)。當(dāng)膜片兩邊存在壓力差時(shí)， 膜片上各點(diǎn)存在應(yīng)力， 4個(gè)電阻在應(yīng)力作用下阻值發(fā)生變化，電橋便失擊平衡輸出相應(yīng)的電壓，此電壓和膜片兩邊的壓力差成正比這樣， 膜片所受壓力差的大小 通過(guò)不平衡電橋就直接反殃出相應(yīng)的輸出電壓，減免了過(guò)去壓力傳感器中氣電轉(zhuǎn)換所用的連動(dòng)機(jī)構(gòu)。采用擴(kuò)散硅元件，不但縮小了壓力傳感器的體積，而且傳感性能也穩(wěn)定多了。

目前有的國(guó)家生產(chǎn)的擴(kuò)散硅膜壓力傳感器， 采用擴(kuò)散法在硅膜中制成四個(gè)工作橋臂的惠斯登電橋，使用各向異性的腐蝕技術(shù)使應(yīng)力集中到測(cè)量區(qū)域，而別處仍然保持低應(yīng)力水平。在相同的振動(dòng)頻率下，選種壓力傳感器具右更高的靈敏度和的線(xiàn)性度，甚至在三倍于全量程的壓力下，性能仍保持不變。

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